Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels...
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Produktinformationen zu „Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten “
Klappentext zu „Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten “
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Maßnahmen zur Reduktion der Versetzungsdichte und die Ablösung der Epitaxieschicht vom Fremdsubstrat.
Bibliographische Angaben
- Autor: Christian Hennig
- 164 Seiten, Maße: 14,8 x 21 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Cuvillier Verlag
- ISBN-10: 3869558229
- ISBN-13: 9783869558226
- Erscheinungsdatum: 03.08.2011
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