Schierholz, C: Rashba Spin-Orbit Interaction
In dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren...
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In dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äußeren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al'tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL.
Bibliographische Angaben
- Autor: Christopher Schierholz
- 90 Seiten, Maße: 14,4 x 21,1 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Cuvillier Verlag
- ISBN-10: 3865374492
- ISBN-13: 9783865374493
- Erscheinungsdatum: 19.05.2005
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