Silizium-Halbleitertechnologie / Teubner Studienbücher Technik (PDF)
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von
sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und
apparative Ausstattung extremen...
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von
sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und
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Produktdetails
Produktinformationen zu „Silizium-Halbleitertechnologie / Teubner Studienbücher Technik (PDF)“
Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von
sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und
apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen
Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten
integrierten Schaltung - aus Sicht der Schaltungshersteller erläutert. Zur
Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen
eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die
technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik
zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrotechnologie, Informatik und Physik, sowie an alle,
die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische
Bauelemente gewinnen wollen.
Die überarbeitete und ergänzte 3. Auflage enthält zusätzliche Abschnitte
zur Fotolithografie, zur Ätztechnik und zum chemisch-mechanischen
Polieren.
Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von
sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und
apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen
Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten
integrierten Schaltung - aus Sicht der Schaltungshersteller erläutert. Zur
Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen
eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die
technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik
zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrotechnologie, Informatik und Physik, sowie an alle,
die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische
Bauelemente gewinnen wollen.
Die überarbeitete und ergänzte 3. Auflage enthält zusätzliche Abschnitte
zur Fotolithografie, zur Ätztechnik und zum chemisch-mechanischen
Polieren.
Autoren-Porträt von Ulrich Hilleringmann
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Bibliographische Angaben
- Autor: Ulrich Hilleringmann
- 2013, 3., überarbeitete und ergänzte Aufl. 2002, 309 Seiten, Deutsch
- Verlag: Vieweg+Teubner Verlag
- ISBN-10: 3322941191
- ISBN-13: 9783322941190
- Erscheinungsdatum: 08.03.2013
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eBook Informationen
- Dateiformat: PDF
- Größe: 24 MB
- Ohne Kopierschutz
- Vorlesefunktion
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